半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-131373
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329648
出願日： 2001年04月27日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：

【要約】【課題】本発明は、ホールのピッチ依存性のうち、ホールピッチが大きくなるにつれてホール径が小さくなる特性を示すピッチ依存性を緩和する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ピッチ依存性が発生しているホール5a〜5eが形成されているレジスト1の表面に対して、垂直方向から、例えばエネルギー50keV、注入量5.0×1015cm-2で、不活性ガスであるAr+をレジスト1に注入する。レジスト1にイオン注入を行うと、レジスト1が縮小し、ホール5a〜5eのホール径が拡大する。そのとき、ホールピッチが小さいホール5a〜5dのホール径の拡大量は、ホールピッチが大きいホール5eのホール径の拡大量よりも小さいため、ホール5a〜5eに発生していたピッチ依存性が緩和される。

請求項（抜粋）：

(a)エッチング対象物上にレジストを形成する工程と、(b)前記レジストに、異なるピッチを含む複数のホールを形成する工程と、(c)前記レジストにイオン注入を行い、前記ホールの直径に発生したピッチ依存性を緩和する工程とを備える半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 , G03F 7/40 521 , H01L 21/265 , H01L 21/3065 , H01L 21/768

FI (6件)：

G03F 7/40 521 , H01L 21/30 570 , H01L 21/302 H , H01L 21/265 W , H01L 21/90 A , H01L 21/90 C

Fターム (18件)：

2H096AA25 , 2H096EA04 , 2H096HA05 , 2H096HA30 , 5F004AA01 , 5F004AA16 , 5F004DB03 , 5F004DB12 , 5F004EA40 , 5F004EB01 , 5F033HH04 , 5F033KK04 , 5F033NN40 , 5F033QQ37 , 5F033QQ57 , 5F033TT08 , 5F046LA18 , 5F046LA19

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