特許
J-GLOBAL ID:200903044854222514

アクチュエータ素子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-369550
公開番号(公開出願番号):特開2003-170400
出願日: 2001年12月04日
公開日(公表日): 2003年06月17日
要約:
【要約】【課題】変位量および変位力が大きく、構造が簡単で、小型化が容易であり、かつ応答が早く、柔軟なアクチュエータ素子の製造方法を提供する。【解決手段】アニオン交換樹脂成形品の表面に、相互に絶縁状態で金属電極を形成し、次いで、該金属電極上に、電解重合法によって電子導電性高分子膜を形成することを特徴とするアクチュエータ素子の製造方法。
請求項(抜粋):
アニオン交換樹脂成形品の表面に、相互に絶縁状態で金属電極を形成し、次いで、該金属電極上に、電解重合法によって電子導電性高分子膜を形成することを特徴とするアクチュエータ素子の製造方法。
IPC (3件):
B81C 1/00 ,  B81B 3/00 ,  H02N 2/00
FI (3件):
B81C 1/00 ,  B81B 3/00 ,  H02N 2/00 Z
引用特許:
出願人引用 (2件)

前のページに戻る