特許
J-GLOBAL ID：200903044854372222
半導体装置の製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-119058
公開番号（公開出願番号）：特開平5-311425
出願日： 1992年05月12日
公開日（公表日）： 1993年11月22日
要約：
【要約】【目的】 反応性スパッタリングにおいて、基板の全面にわたって均一な組成、従って均一な特性の薄膜を形成する。【構成】 スパッタリングを行わせるための真空容器1内へガスを導入するためのガス導入管3に設けられたガス導入穴5A,5B,5C,5Dの大きさが、その設けられている位置によって変えられている。
請求項（抜粋）：
反応性スパッタリングにより基板上に薄膜を形成する半導体装置の製造装置において、スパッタリングを行わせる真空容器内へガスを導入するためのガス導入管に設けられたガス導入穴が、該ガス導入穴が設けられている位置によって異なる大きさを有することを特徴とする半導体装置の製造装置。
IPC (5件)：
C23C 14/34
, C30B 25/14
, H01L 21/203
, H01L 21/285
, H01L 21/31
