特許

J-GLOBAL ID：200903044854609664

量子素子

発明者： 平井 義彦 ,  照井 康明 ,  安井 十郎 ,  丹羽 正昭 ,  岡田 健治 ,  和田 敦夫 ,  森本 廉
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-234587
公開番号（公開出願番号）：特開平5-075102
出願日： 1991年09月13日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：

【要約】【目的】 量子素子の微弱電気出力を、PN接合で生じる雪崩降伏効果を利用して増幅する。【構成】 量子ドットメモリなどの読みだし出力端にPN接合ダイオードを接続し、これに逆バイアスを印加する。出力端に生じた微弱な電子がPN接合に注入され、雪崩降伏を誘起し、電子増倍作用により量子素子の出力信号を増幅する。

請求項（抜粋）：

電子を信号伝搬キャリアとする量子素子の出力端に逆バイアスされたPN接合半導体を接続した構造を具備することを特徴とする量子素子。

IPC (2件)：

H01L 29/66 ,  H01L 29/90