特許

J-GLOBAL ID：200903044856979183

半導体装置の洗浄方法及びその評価方法、処理装置、並びに水の溶存酸素量の制御方法

発明者： 小川 洋輝 ,  石川 健治 ,  藤村 修三
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-193929
公開番号（公開出願番号）：特開平7-312359
出願日： 1994年08月18日
公開日（公表日）： 1995年11月28日
要約：

【要約】【目的】 簡便でバッチ処理にも向いている湿式洗浄処理で、初期の半導体層の表面の平坦性を維持又は向上させることができる半導体装置の洗浄方法を提供する。【構成】 溶存酸素量が10ppm以下である純水により希釈したふっ酸水溶液を用いてシリコン層表面を洗浄する。初期の半導体層の表面の平坦性を維持又は向上させることができ、湿式洗浄処理なので、簡便でバッチ処理にも適している。ふっ酸水溶液と接する気体中の酸素の体積比率を21%以下にすれば、ふっ酸水溶液の溶存酸素量を維持することができる。

請求項（抜粋）：

溶存酸素量が10ppm以下である純水により希釈したふっ酸水溶液を用いてシリコン層表面を洗浄する洗浄工程を有することを特徴とする半導体装置の洗浄方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  G01B 11/30 ,  G01N 1/28 ,  G01N 21/27