特許

J-GLOBAL ID：200903044863424588

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 石田 有親
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 樺澤 襄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-078164
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274508
出願日： 1998年03月25日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】 多結晶シリコンを用い耐電圧を向上した薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】 透明絶縁基板21上に多結晶シリコン膜を形成し、酸素プラズマにさらして絶縁膜を形成し、その後絶縁膜を剥離する。多結晶シリコン膜上に、ゲート絶縁膜36を堆積し、導電体膜を形成してパターニングし、ゲート層27を形成する。ゲート層27を自己整合させてドーピングし、ゲート絶縁膜36およびチャネル領域23およびソース領域24およびドレイン領域25を同時にエッチングして形成する。層間絶縁膜28を堆積し、層間絶縁膜28にコンタクトホール29を形成し、ゲート電極31、ソース電極32およびドレイン電極33を形成し、薄膜トランジスタ22を完成する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に多結晶の半導体薄膜を形成する工程と、前記半導体薄膜を気体プラズマにさらす工程と、この気体プラズマにさらす工程で半導体薄膜に形成された絶縁膜を剥離する工程と、前記絶縁膜が剥離された半導体薄膜上にゲート絶縁膜を被覆する工程とを具備したことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500

FI (5件)：

H01L 29/78 627 Z ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 627 B ,  H01L 29/78 627 C ,  H01L 29/78 627 A