特許
J-GLOBAL ID：200903044865927846
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-209686
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056078
出願日： 1996年08月08日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：
【要約】【課題】 埋め込み配線によって素子間の相互接続を行う半導体装置において、埋め込み配線を埋め込む溝の形成を容易にできる半導体装置の構造を提供する。【解決手段】 下地基板10上に形成され、主配線部と、主配線部から分岐した枝部66とを有する第1の配線26と、下地基板10上に形成され、第1の配線26の主配線部とほぼ並行する主配線部と、主配線部から分岐した枝部66とを有する第2の配線28と、第1の配線26及び第2の配線28上に設けられた絶縁膜54に埋め込まれた埋め込み配線であって、第1の配線26の主配線部とほぼ並行して設けられ、第1の配線26の枝部66上及び第2の配線28の枝部66上を通る第3の配線62とにより構成し、第3の配線62を、第1の配線26の枝部66と絶縁し、第2の配線28の枝部66において第2の配線28と接続する。
請求項（抜粋）：
下地基板上に形成され、主配線部と、前記主配線部から分岐した枝部とを有する第1の配線と、前記下地基板上に形成され、前記第1の配線の前記主配線部とほぼ並行する主配線部と、前記主配線部から分岐した枝部とを有する第2の配線と、前記第1の配線及び前記第2の配線上に設けられた絶縁膜に埋め込まれた埋め込み配線であって、前記第1の配線の前記主配線部とほぼ並行して設けられ、前記第1の配線の前記枝部上及び前記第2の配線の前記枝部上を通る第3の配線とを有し、前記第3の配線は、前記第1の配線の前記枝部と絶縁され、前記第2の配線の前記枝部において前記第2の配線と接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/8244
, H01L 27/11
