特許
J-GLOBAL ID：200903044868916594
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-327574
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186171
出願日： 1994年12月28日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】配線の形成において、コンタクト孔と配線のパターン間のフォトリソグラフィー工程における目合わせマージンを不要にし、半導体デバイスの高密度化および高品質化を図る。【構成】半導体基板の表面に形成された拡散層と拡散層上の層間絶縁膜を介して形成された配線との接続あるいは層間絶縁膜を挟んで形成された多層配線の下層の配線と上層の配線の接続において、層間絶縁膜および層間絶縁膜上の配線を貫通する1つの孔が形成され、孔に導電体材が充填されて、拡散層と配線、あるいは下層の配線と前記上層の配線が前記導電体材を介して電気的接続される。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面に形成された拡散層と前記拡散層上の層間絶縁膜を介して形成された配線との接続あるいは層間絶縁膜を挟んで形成された多層配線の下層の配線と上層の配線の接続において、前記層間絶縁膜および前記層間絶縁膜上の前記配線を貫通する1つの孔が形成され前記孔に導電体材が充填されて、前記拡散層と前記配線とがあるいは前記下層の配線と前記上層の配線とが前記導電体材を介して電気的接続されていること特徴とした半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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