特許
J-GLOBAL ID：200903044871687059
シリコン太陽電池素子及び製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-052674
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259488
出願日： 1992年03月11日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【目的】 シリコン太陽電池素子を製造する工程を節減し、変換効率を高めることにある。【構成】 シリコン太陽電池素子1の低コスト化と高効率化を図るため、スクリーン印刷法で、アルミニウムペーストを用い、酸化膜3及びn+層14をファイヤースルーしてアルミニウムシリコン合金電極からなる第1の主電極15とn+層14に対して良好なpn接合特性をもつp+層13を形成できるように構成した。
請求項（抜粋）：
p型導電性のシリコン基板の受光面と反対側の表面に形成したp+型導電性の第1の層と、該第1の層に端面が接触し表面濃度が1×1019/cm3以下のn型導電性の第2の層と、前記第1の層に隣接するp型不純物源であり、前記第1の層を介して第2の層とpn接合で接触し、前記p型シリコン基板とはオーミック接触し、酸化膜により前記第2の層とは絶縁されているアルミニウムシリコン合金層からなる第1の主電極と、前記第2の層に底面が接触し酸化膜により前記第1の層とは絶縁されている第2の電極とを具備することを特徴とする太陽電池素子。
FI (2件)：
H01L 31/04 H
, H01L 31/04 A
