特許
J-GLOBAL ID：200903044877131885
濃度勾配を有する不純物導入領域の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-093382
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267206
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、例えばCCD素子の半導体基板中における不純物の濃度分布を改善することにより、CCD素子の転送領域におけるポテンシャルが徐々に変化する状態にして、電荷の転送効率の向上を図る。【構成】 第1の工程で、半導体基板11にイオン注入マスクを形成する膜として、例えばレジスト膜12を成膜した後、当該レジスト膜12でマスクパターン13を形成し、次いで第2の工程で、マスクパターン13を変形加工することによって、当該マスクパターン13の端面14を傾斜面に変形してイオン注入マスク15を形成する。その後第3の工程で、イオン注入マスク15を用いて半導体基板11に不純物17を導入する。
請求項（抜粋）：
半導体基板にイオン注入マスクを形成する膜を成膜した後、当該イオン注入マスクを形成する膜でマスクパターンを形成する第1の工程と、前記マスクパターンを変形加工することによって、当該マスクパターンの端面を傾斜面に加工してイオン注入マスクを形成する第2の工程と、前記イオン注入マスクを用いて前記半導体基板に不純物を導入して濃度勾配を有する不純物導入領域を形成する第3の工程とよりなることを特徴とする濃度勾配を有する不純物導入領域の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/265
, H01L 21/266
, H01L 21/312
, H01L 27/148
H01L 21/265 W
, H01L 21/265 M
, H01L 27/14 B
