特許

J-GLOBAL ID：200903044880685395

半導体装置

発明者： 浅井 昭喜 ,  大矢 信之 ,  堅田 満孝
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 碓氷 裕彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-122757
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333944
出願日： 1993年05月25日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】 再現性の高い安定したプロセスで製造できる半導体装置を提供する。【構成】 シリコン基板1上に素子分離絶縁膜2,ゲート絶縁膜3,ゲート電極4が形成され、素子分離絶縁膜2とゲート電極4との間のシリコン基板1表面にソース,ドレイン領域が形成され、それらの領域から素子分離絶縁膜2の一部を覆うように接続層となる多結晶シリコン9A,9Bが形成され、そしてこの多結晶シリコン9とその上に形成される層間絶縁膜6との間に不純物拡散防止用の窒化珪素11が形成されている。また、ゲート電極4上には多結晶シリコン9を酸化して得られた酸化珪素13からなる絶縁膜が形成されている。そして引出し電極となる多結晶シリコン9A,9Bに直接接続するように金属配線7が形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板表面からその内部に形成される拡散層と、該半導体基板上に形成され、拡散層を露出する第1のコンタクトホールを有する第1の絶縁層と、該第1のコンタクトホールを通して前記拡散層と接続され、前記第1の絶縁層上の一部に形成された第1の配線層と、該第1の配線層の酸化物より構成され、前記第1の配線層を囲むようにして前記第1の絶縁層上の他部に形成された絶縁部と、を有することを特徴とした半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 29/78 301 Y ,  H01L 21/88 P