特許

J-GLOBAL ID：200903044881541605

光起電力素子及びその製造方法、並びにそれを用いた発電システム

発明者： 斉藤 恵志 ,  狩谷 俊光 ,  岡田 直人 ,  松山 深照 ,  松田 高一 ,  幸田 勇蔵
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-196048
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021488
出願日： 1992年06月30日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、光励起キャリアーの再結合防止、開放電圧及び正孔のキャリアーレンジを向上した光起電力素子とその製造方法を提供する事を目的とする。【構成】 シリコン系非単結晶半導体材料からなるp型層、光導電層(複数のi型層からなる層)及びn型層を少なくとも積層して構成される光起電力素子に於いて、前記光導電層は、前記n層側に位置するマイクロ波プラズマCVD法により堆積されたi型層と、前記p層側に位置するRFプラズマCVD法により堆積されたi型層とを少なくとも含む積層構造であって、前記マイクロ波プラズマCVD法で堆積されたi型層は、少なくともシリコン原子と炭素原子を含有し、バンドギャップの極小値の位置が該i型層の中央よりp型層方向に片寄って形成されたi型層であり、且つ前記RFプラズマCVD法により堆積されたi型層は、少なくともシリコン原子を含み、層厚が30nm以下であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

シリコン系非単結晶半導体材料からなるp型層、光導電層(複数のi型層からなる層)及びn型層を少なくとも積層して構成される光起電力素子に於いて、前記光導電層は、前記n層側に位置するマイクロ波プラズマCVD法により堆積されたi型層と、前記p層側に位置するRFプラズマCVD法により堆積されたi型層とを少なくとも含む積層構造であって、前記マイクロ波プラズマCVD法で堆積されたi型層は、少なくともシリコン原子と炭素原子を含有し、バンドギャップの極小値の位置が該i型層の中央よりp型層方向に片寄って形成されたi型層であり、且つ前記RFプラズマCVD法により堆積されたi型層は、少なくともシリコン原子を含み、層厚が30nm以下であることを特徴とする光起電力素子。