特許
J-GLOBAL ID：200903044883696592
窒化チタン膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-293309
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151410
出願日： 1992年10月30日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【目的】 膜質の良いバリア性等にすぐれた窒化チタン膜を形成する。【構成】 電子サイクロトロン共鳴プラズマCVDによって窒化チタン膜112を形成し、続いて酸化処理を行う。
請求項（抜粋）：
電子サイクロトロン共鳴プラズマCVDによって窒化チタン膜を形成する工程と、続いて上記窒化チタン膜を酸化する工程とを採ることを特徴とする窒化チタン膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/31
, H01L 21/324
, H01L 21/90
