特許
J-GLOBAL ID：200903044886473560
コンデンサー内蔵複合回路基板
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-247278
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090070
出願日： 1991年09月26日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【目的】MgO、SiO2 及びCaOを主成分とする高周波絶縁性に優れた絶縁体層と高誘電率誘電体層及び温度補償用誘電体層を同時に焼成でき、安定した特性の高誘電率コンデンサー及び温度補償用コンデンサーを内蔵可能とする。【構成】高誘電率コンデンサー及び温度補償用コンデンサー部をMgO、SiO、CaO及び硼珪酸マグネシウムガラスから成る絶縁体層で挾着して同時焼成し、該絶縁体層がフォルステライトとメルウイナイト、モンチセライト、アカーマナイトまたはエンスタタイトのうち少なくとも一種の結晶相を含有する。
請求項（抜粋）：
誘電体層の上下面に電極層を設けてコンデンサー部を形成し、該コンデンサー部を絶縁体層で挾着したコンデンサー内蔵複合回路基板において、上記誘電体層がチタン酸バリウム(BaTiO3 )及び温度補償用誘電体セラミツクスを主成分とする磁器組成物から成り、コンデンサー部を挾着した絶縁体層の主成分が、重量比で表わした図1に示す下記A、B、C、D、E、Fの各点で囲まれた範囲内のマグネシア(MgO)、シリカ(SiO2 )及びカルシア(CaO)と、マグネシア(MgO)、シリカ(SiO2 )及びカルシア(CaO)の合計100重量部に対し、1を越え15未満の重量部のシリカ(SiO2 )、マグネシア(MgO)、酸化硼素(B2 O3 )、酸化バリウム(BaO)を主成分とする硼珪酸マグネシウムガラスとから成ることを特徴とするコンデンサー内蔵複合回路基板。但し、X、Y、Zはそれぞれマグネシア(MgO)、シリカ(SiO2 )及びカルシア(CaO)の重量%を表す。
IPC (3件)：
H01G 4/12 394
, C04B 35/16
, H01G 4/12 355
