特許
J-GLOBAL ID：200903044892017630
バルブ駆動用ソレノイドの電流制御回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-223197
公開番号（公開出願番号）：特開平5-062826
出願日： 1991年09月04日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】【目的】ソレノイド電流の高速開閉に伴う発生損失が少なく、小型化でき、かつ駆動特性が優れたバルブ駆動用ソレノイドの電流制御回路を得る。【構成】Nch-MOSFETと主ダイオ-ドの直列回路からなりソレノイドに並列接続されて逆起電圧を吸収するフライバック回路と、このフライバック回路の中点に接続されたNch-MOSFETからなりドライブ回路により駆動されて前記2つのNch-MOSFETを介して流れるソレノイド電流を所定のタイミングでオンオフ制御する主トランジスタスイッチと、姿勢保持期間直前直後の主トランジスタスイッチのオフ期間中ソレノイドの逆起電圧を所定のレベルに抑制してフライバック回路のNch-MOSFETのドレ-ン,ゲ-ト間に印加するフライバック制御回路とを備えるものとする。また、ドライブ回路,フライバック制御回路が、指令信号によりオンオフ制御されるNch-MOSFETを含むものとする。
請求項（抜粋）：
ソレノイド電流の通流時間をバルブの駆動時に長く姿勢保持期間中短い所定のタイミングで開閉制御することにより、前記通流時間に比例した大きさのソレノイド電流をソレノイドに供給するものにおいて、Nch-MOSFETと主ダイオ-ドとの直列回路からなり前記ソレノイドに並列接続されてソレノイドの逆起電圧を吸収するフライバック回路と、このフライバック回路の中点に接続されたNch-MOSFETからなりドライブ回路により駆動されて互いに直列接続された前記2つのNch-MOSFETを介して流れるソレノイド電流を前記所定のタイミングでオンオフ制御する主トランジスタスイッチと、前記姿勢保持期間直前直後の主トランジスタスイッチのオフ期間中前記ソレノイドの逆起電圧を所定のレベルに抑制して前記Nch-MOSFETのドレ-ン,ゲ-ト間に印加するフライバック制御回路とを備えてなることを特徴とするバルブ駆動用ソレノイドの電流制御回路。
IPC (2件)：
H01F 7/18
, F16K 31/06 310
