特許

J-GLOBAL ID：200903044893715943

不揮発性メモリセルトランジスタ

発明者： 西川 哲
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-274424
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116036
出願日： 1995年10月23日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【課題】 MOSFETの動作特性を劣化させることなく、安定した動作が望める不揮発性メモリセルトランジスタ。【解決手段】 ソース領域13a、ドレイン領域13b、およびこれら両領域間の電流路であるチャネル領域15を有する半導体層11と、前記両領域をまたぐように半導体層の表面に設けられた第1ゲート絶縁膜17と、この第1ゲート絶縁膜17上のチャネル領域に対向する領域に設けられた第1ゲート19と、半導体層11の裏面に設けられた絶縁膜21と、絶縁膜21上の、第1ゲート19に対向する領域に設けられた第2ゲート23とを具えたダブルゲートMOSトランジスタの、前記絶縁膜21の全部または少なくとも一部を強誘電体材料で構成する。

請求項（抜粋）：

半導体層の表面側に電界効果トランジスタの構造を設け、および前記半導体層の裏面側に前記電界効果トランジスタのしきい値電圧制御をすると共に該しきい値電圧を保持するための制御部を設けたことを特徴とする不揮発性メモリセルトランジスタ。

IPC (9件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 617 N ,  H01L 29/78 617 S