特許
J-GLOBAL ID：200903044896272244
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-334142
公開番号（公開出願番号）：特開平6-181205
出願日： 1992年12月15日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：
【要約】【目的】CVD酸化膜の成長工程を含む半導体装置の製造方法に関し、膜の成長速度が大きく、低熱処理下で良質のCVD酸化膜を成長すること。【構成】ヒドラジン、酸化窒素、シラン類の反応ガスを使用して酸化膜を堆積する工程を含む。
請求項（抜粋）：
ヒドラジン、酸化窒素、シラン類の反応ガスを使用して酸化膜を堆積する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316
, H01L 21/205
