特許

J-GLOBAL ID：200903044898959662

薄膜配線基板の製造方法

発明者： 高田 俊克 ,  馬場 誠 ,  大野 猛
出願人/特許権者： 日本特殊陶業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-231267
公開番号（公開出願番号）：特開2001-057471
出願日： 1999年08月18日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：

【要約】【目的】 セラミック配線基板の表面を研磨加工することなく薄膜配線層を形成することができるとともに、薄膜配線の形成不良やビア導体の信頼性の低下を回避可能な薄膜配線基板の製造方法を提供すること。【構成】 焼成後に該セラミック配線基板の絶縁層又は誘電体層を形成するセラミックグリーンシートに穿設したビアホールに導電性ペーストを充填した後に、該セラミックグリーンシートに10〜200kg/cm2の圧力をかける。樹脂分を塑性変形させて焼成前の段階でビア導体の平坦性を向上させることができる。その結果、焼成後のビア導体部の凹凸を15μm以下に容易にコントロールできる。

請求項（抜粋）：

セラミック配線基板の表面を研磨加工することなく薄膜配線層を形成する薄膜配線基板の製造方法であって、焼成後に該セラミック配線基板の絶縁層又は誘電体層を形成するセラミックグリーンシートに穿設したビアホールに導電性ペーストを充填した後に、該セラミックグリーンシートに10〜200kg/cm2の圧力をかけることを特徴とする薄膜配線基板の製造方法。

IPC (2件)：

H05K 3/40 ,  H05K 3/00

FI (2件)：

H05K 3/40 K ,  H05K 3/00 J

Fターム (9件)：

5E317AA24 ,  5E317BB04 ,  5E317BB16 ,  5E317CC22 ,  5E317CC25 ,  5E317CD21 ,  5E317CD27 ,  5E317CD31 ,  5E317GG17