特許
J-GLOBAL ID：200903044899275244
半導体メモリ装置のコラムデコーダ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-193712
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045083
出願日： 1996年07月23日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：
【要約】【課題】 列選択信号のエネーブル時間を充分に維持させてデータの高速アクセスを可能にする半導体メモリ装置のコラムデコーダを提供すること。【解決手段】 第2プリデコーディング部400Aにおいて、クロック信号CKに応答して列アドレス信号をプリデコーディングして同期プリデコーディング信号とエネーブル信号を発生させ、このエネーブル信号に応答して第2メインデコーディング部500Aにおいて列選択信号CSLを活性化させる。
請求項（抜粋）：
列アドレス信号をデコーディングし、そのデコーディングの結果により対応の列選択ゲートを駆動する列選択信号を発生させる半導体メモリ装置のコラムデコーダにおいて、クロック信号に応答して前記列アドレス信号をプリデコーディングして一つ以上の同期プリデコーディング信号とエネーブル信号を発生させるプリデコーダと、前記エネーブル信号に応答して活性化され、前記同期プリデコーディング信号の組合わせに応答して非活性化される一つ以上の列選択信号を発生させるメインデコーダとを具備することを特徴とする半導体メモリ装置のコラムデコーダ。
引用特許：
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