特許

J-GLOBAL ID：200903044901111530

強誘電体キャパシタ、それを用いた半導体記憶装置及びその製造方法

発明者： 中村 亘
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-016589
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214641
出願日： 1998年01月29日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】 強誘電体キャパシタ、それを用いた半導体記憶装置及びその製造方法に関し、Bi系層状ペロブスカイト酸化物を用いた強誘電体キャパシタの特性のバラツキを確実に低減するとともに、特性自体を確実に改善する。【解決手段】 Bi系層状ペロブスカイト酸化物を用いた強誘電体キャパシタの下部電極2用の密着層1として、Bi系層状ペロブスカイト酸化物の成分に含まれない金属の酸化物を用いる。

請求項（抜粋）：

Bi系層状ペロブスカイト酸化物を用いた強誘電体キャパシタにおいて、前記強誘電体キャパシタの下部電極用の密着層として、前記Bi系層状ペロブスカイト酸化物の構成成分に含まれない金属の酸化物を用いることを特徴とする強誘電体キャパシタ。

IPC (6件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371