特許
J-GLOBAL ID:200903044904227920

高電気抵抗磁性薄膜

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 押田 良久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-185921
公開番号(公開出願番号):特開平11-016727
出願日: 1997年06月25日
公開日(公表日): 1999年01月22日
要約:
【要約】【課題】 従来のコア材料と同等の飽和磁束密度を有し、かつ高い電気抵抗を合わせ持つ磁性薄膜の提供。【解決手段】 強磁性を有する鉄と磁性を有するニッケルフェライトからなり、強磁性相中に磁性相または磁性相中に強磁性相の分散あるいは強磁性相と磁性相が多層に積層された構成からなる磁性薄膜をスパッタ法にて作製し、磁性薄膜中のニッケルフェライトの体積比を調整することで、従来のコア材料と同等の飽和磁束密度を有し、かつ高い電気抵抗を合わせ持つ磁性薄膜を容易に提供できる。
請求項(抜粋):
鉄相中にニッケルフェライト相が分散しており、ニッケルフェライトの体積比が10%〜80%である高電気抵抗磁性薄膜。
IPC (2件):
H01F 10/14 ,  C22C 38/00 303
FI (2件):
H01F 10/14 ,  C22C 38/00 303 S

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