特許

J-GLOBAL ID：200903044905504161

プラズマCVD装置

発明者： 上田 仁
出願人/特許権者： アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-151435
公開番号（公開出願番号）：特開2000-345351
出願日： 1999年05月31日
公開日（公表日）： 2000年12月12日
要約：

【要約】【課題】 内部電極方式で誘導結合型のプラズマCVD装置において定在波を制御可能な状態で積極的に活用し、プラズマの分布を良好に制御し、大面積基板の成膜に適したプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】 このプラズマCVD装置は、成膜チャンバ11内で基板16a,16bに対面して配置された誘導結合型電極を備え、電極12は、線状導体をその中央点12aを基準に平面内に含まれるように折り返して形成され、かつ中央点が高周波給電点として構成される。この構成では、電極において所望の定在波を発生させ、定在波を積極的に活用してプラズマの分布を良好にする。

請求項（抜粋）：

反応容器内で基板に対面して配置された誘導結合型電極を備えるプラズマCVD装置において、前記電極は、線状導体をその中央点を基準に平面内に含まれるように折り返して形成され、前記中央点を高周波が供給される給電点としたことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (4件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/24 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

C23C 16/50 D ,  C23C 16/24 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 M

Fターム (15件)：

4K030BA30 ,  4K030FA04 ,  4K030KA15 ,  4K030KA30 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045CA13 ,  5F045CA15 ,  5F045EF03 ,  5F045EF20 ,  5F045EH02 ,  5F045EH04 ,  5F045EH05 ,  5F045EH11 ,  5F045EH19