特許

J-GLOBAL ID：200903044915461169

半導体装置内のドーパント材料の深さプロファイル特性を決定するための装置および方法

発明者： キャンピオン,アラン ,  メイ,チャールズ ,  ホセイン,ティム・ズィ
出願人/特許権者： アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-525917
公開番号（公開出願番号）：特表2001-527290
出願日： 1998年06月03日
公開日（公表日）： 2001年12月25日
要約：

【要約】半導体装置内のドーパント材料の深さプロファイルおよび/または1つ以上の深さプロファイル特性を決定するための装置および方法は、2つ以上の照射波長で装置を照射することのできる光源と、半導体装置から散乱光を受取り半導体装置内のドーパント材料の存在に起因する1つ以上のラマンスペクトル線に対する強度特性を決定する検出器とを含む。次に、ラマンスペクトル線の強度特性を、各照射波長ごとの既知のサンプルから測定されるプロファイル定数を用いて深さプロファイルまたは深さプロファイル特性を決定するために、用いることができる。この装置および方法は、非侵襲的で、比較的速くかつ非破壊的であるため、ライン内で使用可能である。

請求項（抜粋）：

半導体装置の領域内のドーパント材料の少なくとも1つの深さプロファイル特性を決定するための方法であって、 散乱光を生成するために1つ以上の照射波長の各々の光で領域を照射するステップと 1つ以上の照射波長の各々について、ドーパント材料に起因する少なくとも1つのスペクトル線に対する散乱光の強度特性を決定するステップと 各強度特性および各照射波長を用いてドーパント材料の少なくとも1つの深さプロファイル特性を決定するステップとを含む、方法。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  G01N 21/65

FI (2件)：

H01L 21/66 N ,  G01N 21/65

Fターム (23件)：

2G043AA03 ,  2G043CA07 ,  2G043EA03 ,  2G043GA08 ,  2G043GB21 ,  2G043HA07 ,  2G043JA03 ,  2G043JA04 ,  2G043KA02 ,  2G043KA05 ,  2G043KA07 ,  2G043LA01 ,  2G043LA02 ,  2G043LA03 ,  4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106BA20 ,  4M106CB02 ,  4M106DH01 ,  4M106DH24 ,  4M106DH32 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ20