特許

J-GLOBAL ID：200903044920990242

塩素イオン選択性電極、感応膜及び電界効果トランジスタ

発明者： 山下 浩太郎 ,  柴田 康久 ,  渡辺 ▲吉▼雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高田 幸彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-211864
公開番号（公開出願番号）：特開平5-052804
出願日： 1991年08月23日
公開日（公表日）： 1993年03月02日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】高分子物質を支持膜とし、第4級アンモニウム塩を塩素イオン感応物質とする塩素イオン感応膜を備えた塩素イオン選択性電極における長期安定性の改善。【構成】高分子物質を支持膜とし、第4級アンモニウム塩を塩素イオン感応物質とする塩素イオン感応膜を備えた塩素イオン選択性電極において、前記感応物質が次式で表わされ、ノルマルまたはイソアルキル基X,Y,Z及びUのうち少なくとも一つの基についてヒドロキシル基を有することを特徴とする塩素イオン選択性電極。

請求項（抜粋）：

高分子物質を支持膜とし、第4級アンモニウム塩を塩素イオン感応物質とする塩素イオン感応膜と、前記感応膜を設けた内部溶液収容容器とこの容器内に配置された内部電極を備えた塩素イオン選択性電極において、前記感応物質が次式【化1】で表され、X,Y,Z,Uの四つの有機基のうち少なくとも一つはヒドロキシル基を有し炭素数が2〜20から選択されたアルキル基であり、残りの有機基は炭素数が10〜24から選択された同一の炭素数のアルキル基であることを特徴とする塩素イオン選択性電極。

IPC (2件)：

G01N 27/414 ,  G01N 27/333

FI (3件)：

G01N 27/30 301 G ,  G01N 27/30 331 C ,  G01N 27/30 331 A