特許

J-GLOBAL ID：200903044921282861

半導体装置の製造方法

発明者： 大田 裕之
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-064119
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267285
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】 二酸化硅素よりなる層間絶縁膜の形成に関し、平坦化を達成することを目的とする。【構成】 半導体基板上への配線パターンの形成により、この基板上に生じた凹凸をTEOS-O3 反応により形成される二酸化硅素膜により平坦化する工程において、この基板に対向し、反応ガスの供給を行なうヘッド側に磁石を設け、磁石をこの基板に接近させて気相反応を行なうことを特徴として半導体装置の製造方法を構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上への配線パターンの形成により該基板上に生じた凹凸をTEOS-O3 反応により形成される二酸化硅素膜により平坦化する工程において、該基板に対向し、反応ガスの供給を行なうヘッド側に磁石を設け、該磁石を該基板に接近させて気相反応を行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。