特許

J-GLOBAL ID：200903044922908624

半導体装置

発明者： 藤枝 信次
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-292318
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147426
出願日： 1993年11月24日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：

【要約】【目的】受光および記憶機能を同時に持つ素子を有する半導体装置を実現する。【構成】GaAs基板1上にAs過剰Al0.2 Ga0.8 As薄膜の中間層2を設け、その上にAl電極3を設ける。更にGaAs基板1上にAl電極4を設ける。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に化学量論比が1でなくかつ過剰元素の析出物を含まない化合物半導体薄膜からなる中間層と金属膜を順次積層して構成される電極を備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 31/108 ,  G11C 11/42 ,  H01L 27/15 ,  H01L 29/43

FI (2件)：

H01L 31/10 C ,  H01L 29/46 H

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-222323
  
• 特開昭56-074970
  
• 特開昭56-074969