特許

J-GLOBAL ID：200903044925478426

半導体装置とその半導体装置の製造方法

発明者： 大工 博 ,  渡辺 修治
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-231171
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082757
出願日： 1995年09月08日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】 第1の半導体チップに形成された第1の電極と、第2の半導体チップまたは基板に形成された第2の電極とを、インジウムバンプで接続した半導体装置とその半導体装置の製造方法に関し、バンプによる接続不良をなくす。【解決手段】 第1の電極51と第2の電極52を、または電極51と52に相当する電極の表面の金属層を、インジウムの融点より低い温度でインジウムとの共晶体を作る金属で形成し、該金属とインジウムバンプ4との共晶体を介して電極51と61が接続された半導体装置と、前記金属を媒体として使用することで加圧することなく、電極51と61をバンプ接続する半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

インジウムを主成分としたバンプを使用し、第1の半導体チップに形成された第1の電極と、第2の半導体チップまたは基板に形成された第2の電極とが接続された半導体装置において、該第1の電極と第2の電極とが、該第1および第2の電極の表面にインジウムの融点より低い温度でインジウムとの共晶体を作る金属で形成された第1および第2の金属層を介在せしめ、該接続のための加熱によって該第1および第2の金属層との接合部に生成された共晶体により、該第1および第2の電極とバンプとが接続されてなること、を特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/321 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 27/146

FI (4件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 603 B ,  H01L 25/08 B ,  H01L 27/14 F