特許

J-GLOBAL ID：200903044926082577

半導体光集積素子

発明者： 鈴木 良治 ,  樋口 恵一
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-339437
公開番号（公開出願番号）：特開平10-178200
出願日： 1996年12月19日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：

【要約】【課題】 フォトダイオードの量子効率が高く、発光ダイオードの動作が安定な半導体光集積素子を提供する。【解決手段】 メサ型ストライプ構造を有するリッジ導波路型の発光ダイオードと、発光ダイオードと同様の構造を有するフォトダイオードとが同一半導体基板上に光軸が同軸になるように形成された半導体光集積素子において、フォトダイオードの活性層がメサエッチングされて二段のメサ型ストライプ構造が形成されたことにより、フォトダイオード部4の量子効率が高くなり、メサ型ストライプの寸断部11が、二段のメサ型ストライプ構造となっている部分よりスーパールミネッセントダイオード部3側に形成されることにより、スーパールミネッセントダイオード部3がレーザ発振することなく動作が安定な半導体光集積素子が得られる。

請求項（抜粋）：

メサ型ストライプ構造を有するリッジ導波路型の発光ダイオードと、該発光ダイオードと同様の構造を有するフォトダイオードとが同一半導体基板上に光軸が同軸になるように形成された半導体光集積素子において、上記フォトダイオードの活性層がメサエッチングされて二段のメサ型ストライプ構造が形成されたことを特徴とする半導体光集積素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 27/15 ,  H01L 31/10

FI (3件)：

H01L 33/00 A ,  H01L 27/15 C ,  H01L 31/10 A