特許

J-GLOBAL ID：200903044927659673

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 後藤 真志 ,  西谷 幹彦
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-062769
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260997
出願日： 1999年03月10日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 シリコンを主体とする結晶性半導体膜を能動層とする薄膜トランジスタにおいて、結晶性半導体膜とゲート絶縁膜の界面が平坦かつ清浄である薄膜トランジスタの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 ガラス基板上にレーザアニール法によって形成された、表面に凹凸を有する結晶性半導体膜に、SiF4ガスH2ガスの混合ガスを原料としたプラズマ処理を施し、シリコン膜堆積とエッチングを同時に行いながら結晶性半導体膜表面を平坦化する。この上にゲート絶縁膜を形成することにより、平坦かつ清浄な界面を形成することができ、特性バラツキや界面でのキャリア散乱の少ない薄膜トランジスタが製造される。

請求項（抜粋）：

シリコンを主体とする結晶性半導体膜を形成する工程と、前記結晶性半導体膜の表面を平坦にする平坦化工程と、前記結晶性半導体膜の表面に絶縁膜を形成する工程とを有する薄膜トランジスタの製造方法であって、前記平坦化工程によって結晶性半導体膜の膜厚が減少しないことを特徴とした薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/3065

FI (4件)：

H01L 29/78 627 A ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/302 L ,  H01L 29/78 618 Z

Fターム (31件)：

5F004AA11 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA24 ,  5F004DB02 ,  5F004EB02 ,  5F004FA02 ,  5F052AA02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA08 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052EA16 ,  5F052JA01 ,  5F052JA04 ,  5F110AA18 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG15 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL03 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110PP03 ,  5F110PP38