特許
J-GLOBAL ID：200903044929454890
受光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-162412
公開番号（公開出願番号）：特開平8-032100
出願日： 1994年07月14日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【目的】 ホログラム素子を用いた光ピックアップに使用される、受光領域が複数の光検出フォトダイオード部に分割された分割フォトダイオードにおいて、主ビームの反射光が、フォーカス誤差測定のための光検出フォトダイオード部の分割部に照射された状態での応答速度の劣化を改善すること。【構成】 P型半導体基板1上の、P型分離拡散層5により分離されたN型エピタキシャル領域と、その下側の基板部分とにより光検出フォトダイオード部D1,D2,D3,D5を構成し、該基板の,該光検出フォトダイオード部を構成する部分にN型埋め込み拡散層3を形成した。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板と、該第1導電型半導体基板上に形成された第1の第2導電型半導体層と、該第1の第2導電型半導体層の表面から該第1導電型半導体基板の表面に達するように形成され、該第1の第2導電型半導体層を複数の第2導電型半導体領域に分割する第1導電型半導体層とを備え、該第1導電型半導体層の、該第1導電型半導体基板と重なる部分が高不純物濃度の第1導電型半導体領域となっており、該分割された個々の第2導電型半導体領域とその下側の第1導電型半導体基板とにより、信号光を検出する光検出フォトダイオード部が複数構成され、該第1導電型半導体基板の、該光検出フォトダイオード部を構成する部分に第2の第2導電型半導体層が埋め込まれている受光素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 31/10 A
, H01L 27/14 K
, H01L 31/10 Z
