特許

J-GLOBAL ID：200903044931675772

積層セラミック回路基板の製造方法

発明者： 久高 将文 ,  末永 弘
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-148279
公開番号（公開出願番号）：特開平8-018235
出願日： 1994年06月29日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】生産性に優れ、且つ、隣接する端面電極間の短絡を完全に防止でき、端面電極の密着性が向上する端面電極を有する積層セラミック回路基板の製造方法を提供する。【構成】複数のセラミック層1a〜1gが積層した積層体1の内部に配線パターン11を配置するとともに、積層体1の端面に端面電極2を形成して成る積層セラミック回路基板10の製造方法であり、前記内部の配線パターン11となる導体膜を有し、且つ積層体1の端面電極2となる端面電極用貫通孔に形成した端面電極2となる導体を有する未焼成状態の大型積層体基板を形成する工程と、前記大型積層体基板に、前記積層体1の形状に対応して前記端面電極2となる導体を横切るように分割溝を形成する工程と、前記大型積層体基板を焼成処理する工程と、前記大型積層体基板を前記分割溝に沿って分割処理する工程と、を含む積層セラミック回路基板の製造方法である。

請求項（抜粋）：

複数のセラミック層を積層した積層体の内部に配線パターンを配置するとともに、積層体の端面に端面電極を形成して成る積層セラミック回路基板の製造方法において、前記内部配線パターンとなる導体膜を有し、且つ積層体端面となる位置に形成した貫通孔に端面電極となる導体を有する未焼成状態の大型積層体基板を形成する工程と、前記大型積層体基板に、前記積層体の形状に対応して前記端面電極となる導体を横切るように分割溝を形成する工程と、前記大型積層体基板を焼成処理する工程と、前記大型積層体基板を前記分割溝に沿って分割処理する工程と、を含む積層セラミック回路基板の製造方法。

IPC (3件)：

H05K 3/46 ,  H05K 1/03 ,  H05K 3/40

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭60-024093
  
• セラミック基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-158710   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開昭57-100782