特許
J-GLOBAL ID:200903044934134977
セラミック配線基板、それを用いた部品実装済み配線基板、及びそれらの製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
菅原 正倫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-275734
公開番号(公開出願番号):特開2004-111849
出願日: 2002年09月20日
公開日(公表日): 2004年04月08日
要約:
【課題】パッド間隔がファインピッチ化した場合に、個々のパッドの半田接合の確実性を損なうことなく、半田ブリッジングを効果的に防止できるセラミック配線基板を提供する。【解決手段】セラミック配線基板は、電子部品100を半田接続部102を介して面実装するために、基板本体3の主表面に、各々金属配線層と導通する基板側端子パッド155が複数配列した形で形成される。基板側端子パッド155の主表面には半田接続部102と結合される半田結合領域156が形成され、かつ該半田結合領域156の周囲には、該半田結合領域156よりも半田濡れ性の小さい半田ブロック部157が形成されてなる。【選択図】 図4
請求項(抜粋):
セラミック誘電体層と金属配線層とが積層された基板本体と、
電子部品を、半田接続部を介して面実装するために、前記基板本体の主表面に複数配列した形で形成され、各々前記金属配線層と導通する基板側端子パッドとを有し、
前記基板側端子パッドの主表面には前記半田接続部と結合される半田結合領域が形成され、かつ該半田結合領域の周囲には、該半田結合領域よりも半田濡れ性の小さい半田ブロック部が形成されてなることを特徴とするセラミック配線基板。
IPC (3件):
H01L23/12
, H01L21/60
, H05K3/34
FI (5件):
H01L23/12 501B
, H01L21/60 311Q
, H05K3/34 501E
, H05K3/34 501F
, H01L23/12 F
Fターム (14件):
5E319AA03
, 5E319AB05
, 5E319AC04
, 5E319AC12
, 5E319AC18
, 5E319BB05
, 5E319CC33
, 5E319CD04
, 5E319CD06
, 5E319CD26
, 5E319GG05
, 5F044KK04
, 5F044KK15
, 5F044LL01
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