特許
J-GLOBAL ID：200903044941070216
EEPROM
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
林 敬之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-127916
公開番号（公開出願番号）：特開平7-334993
出願日： 1994年06月09日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】【目的】 書き換え回数がある程度まで達し電荷の注入量が減少したメモリセルをより高い電圧でプログラムし電荷の注入量を増やし、書き換え寿命を延ばす。【構成】 高電圧を任意の電圧に変換するリミッタ回路とメモリセルのしきい値をプログラム動作中に検出する回路とからなる。【効果】 書き換え寿命を延ばすことができる。
請求項（抜粋）：
メモリセルと、前記メモリセルへプログラム電圧を与える高電圧発生回路とを有するEEPROMにおいて、前記メモリセルのしきい値を検出する検出回路により、検出されたメモリセルのしきい値に応じて、前記プログラム電圧を設定することを特徴とするEEPROM。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G11C 17/00 510 A
, G11C 17/00 309 D
, H01L 27/10 434
