特許

J-GLOBAL ID：200903044941901606

配線形成方法

発明者： 門村 新吾
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-141527
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160123
出願日： 1992年06月02日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【目的】 パーティクル・レベルを悪化させずにAl系配線パターンや接続孔底面のパッシベーションを行う。【構成】 Al系積層配線層7をレジスト・マスク8を介してエッチングした後、ウェハを大気開放せずにS2 F2 /H2 /N2 混合ガスを用いてプラズマ処理を行う。この処理では、ポリチアジル(SN)x を主体とする耐水性の窒化イオウ系保護膜9がウェハ全面に堆積し、パッシベーション効果を発揮する。次工程の実施直前にウェハを約150°Cに加熱すれば、窒化イオウ系保護膜9は容易に昇華または分解する。プラズマ処理前にレジスト・マスク8を除去しておけば、一層効果的である。本発明は、コンタクト・ホールの底面において下層配線材料層の露出面上の自然酸化膜を除去した後、この底面を一時的にパッシベーションする方法としても有効である。

請求項（抜粋）：

基板上のアルミニウム系配線層をレジスト・マスクを介してエッチングすることによりアルミニウム系配線パターンを形成する工程と、前記基板を高真空下に保持したまま該基板の温度を室温以下に制御し、少なくとも前記アルミニウム系配線パターンの露出面を窒化イオウ系化合物層で被覆する工程と、前記窒化イオウ系化合物層を次工程の実施直前に除去する工程とを有することを特徴とする配線形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/318

FI (2件)：

H01L 21/88 B ,  H01L 21/88 N