特許
J-GLOBAL ID：200903044944087888
半導体集積回路装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-210161
公開番号（公開出願番号）：特開平10-055977
出願日： 1996年08月08日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：
【要約】【課題】 イオン打ち込みによるダメージを有する半導体基板でのアニール処理による不純物拡散層の不純物分布を正確に予測する。【解決手段】 D/D0 で表される拡散定数関数を、アニール時間(トランジェントな拡散時間)、ドーズ量、アニール温度(炉体の上昇温度)の関数として表わし、これをプロセスシミュレータに組み込む。また、プロセスシミュレータをアニール装置の制御部に組み込み、不純物拡散層の不純物分布のばらつきが最も小さくなるアニール条件を算出し、この条件でアニール処理を実行する。
請求項（抜粋）：
半導体基板にイオン注入法により不純物を注入するイオン注入工程と、前記半導体基板をアニールすることによって前記半導体基板に不純物半導体領域を形成するアニール工程とを含む半導体集積回路装置の製造方法であって、前記アニール工程における前記不純物の増速拡散を考慮した拡散定数関数を用いて前記不純物の拡散距離を予測し、前記予測の結果から得られる前記不純物半導体領域の不純物濃度分布を参照することによって前記アニール工程およびイオン注入工程におけるアニール条件およびイオン注入条件を調整することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/265 A
, H01L 21/265 T
