特許

J-GLOBAL ID：200903044945685002

半導体ウェーハ及びその製造方法

発明者： 大瀬 広樹
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 菅原 正倫
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1999005969
公開番号（公開出願番号）：WO2000-026949
出願日： 1999年10月28日
公開日（公表日）： 2000年05月11日
要約：

【要約】直径300mm以上の半導体単結晶基板主面上に抵抗率の均一な半導体薄膜を有する半導体ウェーハ及びその製造方法を提供することを目的とする。反応容器10の幅方向に配設された6つの導入口18a、18b、...、18fから回転する珪素単結晶基板12の主面に対して略平行かつ-方向にプロセスガスを供給する際に、内側導入口18a、18b及び中間導入口18c、18dからは、H2ガス、半導体原料ガス、及びドーパントガスを珪素単結晶基板12の主面の中心部近傍及び中間部に供給し、外側導入口18e、18fからは、H2ガス及び半導体原料ガスのみを外縁部近傍に供給してドーパントガスを供給しない。但し、この外縁部近傍にはオートドープ現象によるドーパントガスが供給される。このため、両方のドーパントガスをトータルすると、珪素単結晶基板12の主面全体に供給されるドーパントガスの濃度は略均一になる。

請求項（抜粋）：

直径が300mm以上400mm以下、抵抗率が0.01Ω・cm以上0.02Ω・cm以下のp型半導体単結晶基板の主面上に、直径方向の抵抗率分布が8%以下の半導体薄膜が形成されている ことを特徴とする半導体ウェーハ。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C30B 23/02 ,  C30B 23/08 ,  H01L 21/22 501

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C30B 23/02 ,  C30B 23/08 ,  H01L 21/22 501 S