特許

J-GLOBAL ID：200903044950258210

抵抗変化素子

発明者： 酒井 章裕 ,  足立 秀明 ,  小田川 明弘 ,  菅野 勉 ,  杉田 康成 ,  大仲 清司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-007379
公開番号（公開出願番号）：特開2008-060091
出願日： 2005年01月14日
公開日（公表日）： 2008年03月13日
要約：

【課題】 200°Cでも安定した動作を示す抵抗変化素子を提供すること。【解決手段】 プラセオジウム(Pr)、カルシウム(Ca)、マンガン(Mn)を含む酸化物よりなる抵抗変化層(13)に電気的に接続された上部電極(14)と下部電極(12)とを備え、前記上部電極(14)と前記下部電極(13)との間に電気パルスを印加して前記抵抗変化層(13)の抵抗を変化させる抵抗変化素子であって、 前記抵抗変化層(13)と前記上部電極(14)および前記下部電極(12)の少なくとも一方との間に酸素欠損層(25)を有する抵抗変化素子。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

プラセオジウム(Pr)、カルシウム(Ca)、マンガン(Mn)を含む酸化物よりなる抵抗変化層に電気的に接続された上部電極と下部電極とを備え、前記上部電極と前記下部電極との間に電気パルスを印加して前記抵抗変化層の抵抗を変化させる抵抗変化素子であって、 前記抵抗変化層と前記上部電極および前記下部電極の少なくとも一方との間に酸素欠損層を有する抵抗変化素子。

IPC (3件)：

H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/02

FI (3件)：

H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/02

Fターム (9件)：

5F083FZ10 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA42 ,  5F083JA45 ,  5F083JA60 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第6204139号明細書