特許
J-GLOBAL ID：200903044954068024
半導体素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-069740
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216035
出願日： 1992年02月19日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】【目的】 InPを選択的に堆積する半導体素子の製造方法を提供する。【構成】 本発明の半導体導体素子の製造方法は、堆積層の少なくとも1つはリン化インジウムを含み、前記リン化インジウムはインジウム有機ガスと、リンとを含むガスを堆積することによって形成し、前記堆積用ガスは更にハロゲンを含有する有機成分を有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上に一連の層を堆積するステップを有する半導体素子の製造方法において、前記層の少なくとも1つはリン化インジウムを含み、前記リン化インジウムはインジウム有機ガスと、リンとを含むガスを堆積することによって形成し、前記堆積用ガスは更にハロゲンを含有する有機成分を有することを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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