特許

J-GLOBAL ID：200903044954585746

半導体装置のコンタクトホール形成方法及びメタル配線パターン形成方法

発明者： 駒井 正嗣
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-146043
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017797
出願日： 1994年06月28日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【構成】 基板11上にSiO2 膜12を形成し、SiO2 膜12上にフォトリソグラフィ工程によりレジストパタ-ン13aを形成した後、低粘度のレジストを塗布して低粘度の第2のレジスト層16を形成し、次いで低粘度の第2のレジスト層16のみが感光する露光条件で全面露光を施し現像しテ-パ角を有するレジストパタ-ン17を形成した後、CF4 、CHF3 ならびにHe及び/又はArの混合ガスを用いてSiO2 膜12にエッチング処理を施し、テ-パ角を有するコンタクトホ-ル18を形成する。【効果】 矩形形状のレジストパタ-ン13a上に低粘度の第2のレジスト層16を形成し、前記露光条件で全面露光を施すとレジストパタ-ン13aの段差部にテ-パ角を有するレジストパタ-ン17を形成することができる。その後、前記エッチングガスでSiO2 膜のエッチングを行うとテ-パ角を有するコンタクトホ-ル18を形成することができる。前記エッチングガスを用いることにより、制御性及び再現性良くテ-パ角を有するコンタクトホ-ル18を形成することができる。

請求項（抜粋）：

基板上に絶縁膜を形成し、該絶縁膜上にフォトリソグラフィ工程により第1のレジストパターンを形成した後、さらに第2のレジスト層を形成し、次いで該第2のレジスト層のみが感光する露光条件で全面露光を施し現像して第2のレジストパターンを形成した後、エッチングガスを用いて前記絶縁膜にエッチング処理を施し、テ-パ角を有するコンタクトホ-ルを形成することを特徴とする半導体装置のコンタクトホール形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/302 M ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/88 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-249038   出願人：日本アイ・ビー・エム株式会社
• 特開昭64-005018
  
• 特開昭64-005018