特許

J-GLOBAL ID：200903044958575028

半導体レーザ装置

発明者： 野田 雅樹
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-029518
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228556
出願日： 1999年02月08日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】 半導体レーザ素子と電界吸収型半導体光変調器素子の特性をそれぞれ独立に調整でき、しかも、半導体レーザ素子と電界吸収型半導体光変調器素子間の電気的な結合に起因する伝送特性の劣化が少ない、波長の制御性および伝送特性に優れた半導体レーザ装置を得る。【解決手段】 レーザ光を出射する半導体レーザ素子2と、半導体レーザ素子2から出射されたレーザ光を変調する電界吸収型半導体光変調器素子3とを備えた半導体レーザ装置において、半導体レーザ素子2と電界吸収型半導体光変調器素子3を分離して配置するとともに、半導体レーザ素子2および電界吸収型半導体光変調器素子3のそれぞれに別の温度制御手段7a、7bを設け、半導体レーザ素子2および電界吸収型半導体光変調器素子3の温度を、各々独立に制御可能に構成する。

請求項（抜粋）：

レーザ光を出射する半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を変調する電界吸収型半導体光変調器素子と、前記半導体レーザ素子および前記電界吸収型半導体光変調器素子の温度を、各々独立に制御可能な温度制御手段とを備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (5件)：

H01S 5/024 ,  H01S 5/026 ,  H01S 5/062 ,  H01S 5/50 630 ,  G02F 1/025

FI (5件)：

H01S 3/18 614 ,  H01S 3/18 616 ,  H01S 3/18 631 ,  H01S 3/18 694 ,  G02F 1/025

Fターム (22件)：

2H079AA02 ,  2H079AA13 ,  2H079BA01 ,  2H079CA04 ,  2H079EA01 ,  2H079EA07 ,  2H079EB04 ,  2H079HA11 ,  2H079KA11 ,  2H079KA18 ,  2H079KA20 ,  5F073AB21 ,  5F073AB27 ,  5F073AB28 ,  5F073BA01 ,  5F073EA13 ,  5F073EA17 ,  5F073FA06 ,  5F073FA21 ,  5F073FA25 ,  5F073GA23 ,  5F073GA24