特許

J-GLOBAL ID：200903044960783983

太陽電池及びその製造方法

発明者： 西田 彰志
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-072521
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235386
出願日： 1992年02月21日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】 金属基板上に大粒径の多結晶半導体層を成長させることにより安価で高性能な太陽電池とその製造方法をを提供することを目的とする。【構成】 金属基体101上に、金属ー半導体の中間体層102と、第一の半導体層103と、複数の開口部110を有する絶縁層104と、光電流を発生する第二の半導体層105とを積層してなる多結晶半導体の太陽電池であって、前記第二の半導体層は前記第一の半導体層より大きな結晶粒を有し、且つ前記開口部直下の前記第一の半導体層中に前記第一の半導体層の粒径よりは大きく前記第二の半導体層の粒径よりは小さい単一の結晶粒109を設け、前記開口部直下の単一の結晶粒109と前記第二の半導体層中の単一の結晶粒とが実質単結晶として繋がっていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

金属基体上に、金属ー半導体の中間体層と、第一の半導体層と、複数の開口部を有する絶縁層と、光電流を発生する第二の半導体層とを積層してなる多結晶半導体の太陽電池であって、前記第二の半導体層は前記第一の半導体層より大きな結晶粒を有し、且つ前記開口部直下の前記第一の半導体層中に前記第一の半導体層の粒径よりは大きく前記第二の半導体層の粒径よりは小さい単一の結晶粒を設け、前記開口部直下の単一の結晶粒と前記第二の半導体層中の単一の結晶粒とが実質単結晶として繋がっていることを特徴とする太陽電池。