特許
J-GLOBAL ID：200903044961059006
レーザアニール方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-254404
公開番号（公開出願番号）：特開平10-106950
出願日： 1996年09月26日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：
【要約】【課題】 チャネル部に多結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタを安価に製造することができるレーザアニール方法及び装置を提供する。【解決手段】 本発明のレーザアニール方法は、ガラス基板28の表面にアモルファスシリコン薄膜20が堆積された被処理材11を用いて、被処理材11の表面の一部をXeランプ16により照射すると同時に、Xeランプ16により照射された範囲の内部をレーザ光12により照射し、更に、これと同時に、被処理材11の表面におけるXeランプ16の照射領域とレーザ光12の照射領域との相対的な位置関係を一定に保ったまま、被処理材11側を移動することによって、Xeランプ16及びレーザ光12により照射される領域を、被処理材11表面の所定の範囲に渡って走査する。
請求項（抜粋）：
ガラス基板上に非晶質半導体薄膜を堆積する工程と、前記非晶質半導体薄膜の表面を、少なくとも紫外域において概ね連続した波長分布を有する光源を用いて照射する工程と、前記光源によって照射された領域にレーザ光を照射する工程と、を備えたことを特徴とするレーザアニール方法。
IPC (5件)：
H01L 21/20
, G02F 1/136 500
, H01L 21/268
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/20
, G02F 1/136 500
, H01L 21/268 F
, H01L 29/78 627 G
