特許

J-GLOBAL ID：200903044961299007

水素透過構造体およびその製造方法

発明者： 吉田 健太郎 ,  日方 威 ,  奥田 伸之 ,  上村 卓 ,  曽我部 浩一
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-039477
公開番号（公開出願番号）：特開2002-239351
出願日： 2001年02月16日
公開日（公表日）： 2002年08月27日
要約：

【要約】【課題】 厚みが1μm以下の水素透過性膜を多孔質の基材上にピンホールのない緻密な膜として形成する。【解決手段】 水素透過構造体3は、多孔質の基材2と、基材2と蒸着原料との間に電位差をパルス的に印加してイオンプレーティング法で基材2の表面上に形成された厚みが1μm以下の水素透過性膜1とを備える。

請求項（抜粋）：

多孔質の基材を準備する工程と、前記基材と蒸着原料との間に電位差をパルス的に印加してイオンプレーティング法で前記基材の表面の上に厚みが1μm以下の水素透過性膜を形成する工程とを備えた、水素透過構造体の製造方法。

IPC (4件)：

B01D 69/02 ,  B01D 53/22 ,  B01D 71/02 500 ,  H01M 8/06

FI (4件)：

B01D 69/02 ,  B01D 53/22 ,  B01D 71/02 500 ,  H01M 8/06 G

Fターム (9件)：

4D006GA41 ,  4D006MA31 ,  4D006MC02X ,  4D006MC03X ,  4D006NA31 ,  4D006NA32 ,  4D006PB66 ,  5H027BA01 ,  5H027BA16