特許
J-GLOBAL ID：200903044962465253
ダイヤモンドへの整流電極の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-172446
公開番号（公開出願番号）：特開平9-022880
出願日： 1995年07月07日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：
【要約】【目的】 高温環境であっても安定して作動する半導体ダイヤモンドからなる電子デバイスのダイヤモンドへの整流電極の形成方法を提供する。【構成】 先ず、酸素終端したダイヤモンド上に酸素をゲッタリングする金属を蒸着して電極を形成する。その後、300°C以上の温度で1分間以上保持する熱処理を行う。前記電極用金属は電気陰性度が1.8以下であり、例えばMg、Hf又はZrを使用することができる。また、前記ダイヤモンドはホウ素をドーピングした半導体ダイヤモンドであるが、この半導体ダイヤモンドとアンドープダイヤモンドを積層したものとすることができる。
請求項（抜粋）：
酸素終端したダイヤモンド上に酸素をゲッタリングする金属を蒸着した後、300°C以上の温度で1分間以上熱処理することを特徴とするダイヤモンドへの整流電極の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28
, H01L 21/28 301
, C30B 29/04
, H01L 21/322
H01L 21/28 B
, H01L 21/28 301 R
, C30B 29/04 V
, H01L 21/322 S
