特許
J-GLOBAL ID：200903044966912220
パターン検査装置の較正方法、パターン検査方法、パターン位置決定方法、および半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-044469
公開番号（公開出願番号）：特開平7-253311
出願日： 1994年03月15日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：
【要約】【目的】 基板上のパターンの位置ずれを検出する光学的検出装置において光学系のアラインメントのずれを検出し、検出されたアラインメントのずれをもとに観測されたパターンの位置ずれを補正して真の位置ずれを、高い信頼性をもって検出することを目的とする。【構成】 光学的検出装置に基板を異なった方位で装着し、見かけ上のいちずれを各々の方位について求め、求められた位置ずれ観測値を平均化し、光学系のアラインメント誤差を求める。また、求められた誤差に基づいて観測された位置ずれの値を修正する。
請求項（抜粋）：
光ビームを所定の光軸に沿って出射させる光源と、少なくとも第1および第2のパターンを形成された基板を保持するステージと、前記光軸上に設けられ、前記ステージ上の基板を前記光源からの光ビームにより照明する光学系と、前記照明された基板を撮像し、前記第1および第2のパターンを含む前記基板の画像を獲得する撮像手段と;前記撮像手段で獲得された画像を解析して、前記基板上の第1および第2のパターン相互間の位置ずれを検出する画像処理装置とを備えたパターン検査装置の較正方法において、(a) 前記基板を前記ステージ上に第1の方位で配置する工程と;(b) 前記工程(a)で前記ステージ上に配置された基板を前記撮像手段により撮像し、前記基板の画像を獲得する工程と;(c) 前記工程(b)で獲得された画像から、前記画像処理装置により、前記基板上の前記第1および第2のパターン相互間の位置ずれを表す第1の位置ずれ量を検出する工程と;(d) 前記基板を前記ステージ上に第2の、異った方位で配置する工程と;(e) 前記工程(d)で前記ステージ上に配置された基板を前記撮像手段により撮像し、前記基板の画像を獲得する工程と;(f) 前記工程(e)で獲得された画像から、前記画像処理装置により、前記基板上の前記第1および第2のパターン相互間の位置ずれを表す第2の位置ずれ量を検出する工程と;(g) 前記第1の位置ずれ量と前記第2の位置ずれ量を比較することにより、前記光学系の前記光軸からのずれを検出する工程とよりなり、前記第1の方位と第2の方位とは相互に180 ゚の角度だけずれていることを特徴とするパターン検査装置の較正方法。
IPC (2件)：
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