特許
J-GLOBAL ID：200903044968329882
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大岩 増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-308615
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138250
出願日： 1998年10月29日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：
【要約】【課題】 プローブ針をあててウエハテストを行っても不具合が生じることのない電極接合パッドを有する半導体装置およびその製造方法を得る。【解決手段】 ICチップの最上層に形成される電極配線(2)上に、Niからなる金属層(4)を形成し、その上部に第一のSn層(5)、Pb層(6)、第二のSn層(7)を順次積層することでバンプ電極となる電極接合パッドを形成する。第二のSn層(7)の表面に形成される酸化膜が破壊され易く、プローブ針によって電極接合パッド側に与えられる応力、さらにプローブ針側に与えられる応力を小さく抑えられるとともに、電極接合パッドを構成する金属層が応力の緩衝部材となるために、金属の針状異常成長を抑制できる。
請求項（抜粋）：
バンプ電極となる電極接合パッドの上部にプローブ針をあててウエハテストを行う際の、上記電極接合パッドは、ICチップに設けられた電極配線上のNiからなる金属層上に配置された第一のSn層、Pb層、第二のSn層が順次積層された3層構造であることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 21/92 602 D
, G01R 31/26 G
, G01R 31/26 J
, H01L 21/92 603 B
