特許

J-GLOBAL ID：200903044968352469

不揮発性メモリ

発明者： 厚木 勉 ,  米澤 政 ,  小木 勝実
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 重野 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-046023
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213905
出願日： 1996年03月04日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】 疲労特性が良好で高集積化が可能な強誘電体をキャパシタとして用いた、残留分極の値が大きく、動作回数に制限のない強誘電体不揮発性メモリを提供する。【解決手段】 MOSFET:10と強誘電体キャパシタ:20から構成された不揮発性メモリ。強誘電体は、Sr<SB>X</SB> Bi<SB>1-X</SB> )Bi<SB>2</SB> (Ta<SB>Y</SB> Nb<SB>1-Y</SB> )<SB>2</SB> O<SB>Z</SB> (0.4≦X<1,0≦Y≦1,Zは各金属元素に付随する酸素原子の数)である。【効果】 0.4≦X<1とすることで、残留分極が大きく、膜疲労の少ない強誘電体膜が提供される。残留分極が大きく高集積化に適し、書き換え回数に制限がなく、疲労特性が良好な強誘電体キャパシタを有する不揮発性メモリを得ることができる。

請求項（抜粋）：

MOSFETと強誘電体キャパシタから構成され、該強誘電体を自発分極させることによりデータを記憶する不揮発性メモリであって、前記強誘電体が、(Sr<SB>X</SB> Bi<SB>1-X</SB> )Bi<SB>2</SB> (Ta<SB>Y</SB> Nb<SB>1-Y</SB> )<SB>2</SB> O<SB>Z</SB> (ただし、0.4≦X<1,0≦Y≦1で、Zは各金属元素に付随する酸素原子の数の合計を示す。)であることを特徴とする不揮発性メモリ。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/115

FI (3件)：

H01L 27/10 651 ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/10 434