特許
J-GLOBAL ID：200903044974521264
記憶素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
角田 芳末
, 磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-203260
公開番号（公開出願番号）：特開2007-027196
出願日： 2005年07月12日
公開日（公表日）： 2007年02月01日
要約：
【課題】 記録された情報を安定に保持することができ、かつ少ない電流で記録することが可能な記憶素子を提供する。【解決手段】 第1の磁性層1と第2の磁性層3と第3の磁性層5とが、非磁性層2,4を介して積層され、第1の磁性層1の磁化M1の向きが固定され、第2の磁性層3及び第3の磁性層5により記憶層6が構成され、第2の磁性層3と第3の磁性層5とが、磁化M3,M5の向きが互いに反平行となるように磁気的結合しており、第3の磁性層5の磁化が第2の磁性層3の磁化よりも大きく、第3の磁性層5の分極率が第2の磁性層3の分極率の0.7倍以下であり、非磁性層2を通じて、第1の磁性層1と第2の磁性層3との間に電流を流すことにより情報の記録が行われる記憶素子10を構成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の磁性層と、第2の磁性層と、第3の磁性層とが、それぞれ非磁性層を介して積層されて成り、
前記第1の磁性層は、磁化の向きが固定された磁性層であり、
前記第2の磁性層及び前記第3の磁性層により、情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層が構成され、
前記第2の磁性層と、前記第3の磁性層とが、磁化の向きが互いに反平行となるように磁気的結合しており、
前記第3の磁性層の磁化が、前記第2の磁性層の磁化よりも大きく、
前記第3の磁性層の分極率が、前記第2の磁性層の分極率の0.7倍以下であり、
前記非磁性層を通じて、前記第1の磁性層と前記第2の磁性層との間に電流を流すことにより情報の記録が行われる
ことを特徴とする記憶素子。
IPC (6件)：
H01L 43/08
, H01L 21/824
, H01L 27/105
, H01F 10/16
, H01F 10/32
, H01L 29/82
H01L43/08 M
, H01L27/10 447
, H01L43/08 Z
, H01F10/16
, H01F10/32
, H01L29/82 Z
5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049AC05
, 5E049BA06
, 5F083FZ10
, 5F083GA05
, 5F083JA39
