特許

J-GLOBAL ID：200903044976180006

磁場センサ

発明者： ポポフィック ラディホエ
出願人/特許権者： ランディス ウント ギア ベトリープス アクチェンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 加藤 卓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-082564
公開番号（公開出願番号）：特開平5-180918
出願日： 1992年04月06日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】 磁場を高精度に測定することができ、従来の標準集積回路MOS技術で形成することができ、使用する半導体材料の特性及び環境条件にあまり関係のない出力信号を得ることができる磁場センサ。【構成】 磁場センサは2つの接点ゾーン4、5と入力ゾーン2と出力ゾーン3を有する。これらのゾーンは不純物原子で濃くドーピングされた第1の導電型N+の半導体材料1から形成され、第2の導電型Pの半導体材料1内の外面に配置されている。更に各端子S1、S2、C1ないしC2を通す切欠きを有する絶縁層が第2の導電型Pの半導体材料1の外面に配置される。絶縁層上には電荷結合回路の細長いゲート電極7〜26の列が配置されている。2つの接点ゾーン間の絶縁層上に配置された少なくとも1つの中央ゲート電極15〜18の両端部は両接点ゾーンのそれぞれと少なくとも一部が重ねられて配置される。

請求項（抜粋）：

第1の接点ゾーン(4ないし4A〜4D)及び第2の接点ゾーン(5)を有し、両接点ゾーンが第1の導電型(N+)の半導体材料から構成されて第2の導電型(P)の半導体材料(1)内の外面に配置され、かつ両接点ゾーンのそれぞれにセンサ端子(S1ないしS2)が設けられ、更に第2の導電型(P)の半導体材料(1)の外面に配置されセンサ端子(S1、S2)を通す切欠きを有する絶縁層(6)が設けられる磁場センサにおいて、第1と第2の接点ゾーン(4、5)が不純物原子で濃くドーピングされており、所定方向に電極列を形成し電極列の方向に対して垂直の方向に細長い形状を有する少なくとも1つの電荷結合回路(51、52、53、54)のゲート電極(7〜26)が絶縁層(6)上に配置され、両接点ゾーン(4、5)間の絶縁層(6)上に配置された少なくとも1つの中央電極(15、16、17、18)の両端部が両接点ゾーン(4ないし4A、4B、4C、4D及び5)のそれぞれ上に少なくとも一部が重ねられて配置されることを特徴とする磁場センサ。

IPC (2件)：

G01R 33/06 ,  H01L 43/06