特許
J-GLOBAL ID：200903044979538955
半導体装置の配線形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-260910
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085430
出願日： 1999年09月14日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【課題】 CMP方法により研磨される金属膜の配向性を制御することにより、CMPの平坦化特性を向上させて均一な埋め込み配線を形成する半導体装置の配線形成方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上に形成された絶縁膜に配線パターン形状に配線溝もしくは配線溝と接続孔を形成し、さらに、配線溝もしくは配線溝とコンタクト孔内を含めてこの絶縁膜上に金属膜を堆積させて金属膜の余分な部分を研磨除去して埋め込み配線を形成する方法において、金属膜の優先配向方位面のロッキングカーブの半値幅を7以下に制御するように金属膜を形成する。金属膜の配向方位を規定することによりCMP方法による研磨速度が速くなり、半導体基板上の凸部と凹部の研磨速度差が大きくなる結果平坦化特性が向上するとともに配線が埋め込まれる絶縁膜表面をきずの少ない平坦な面にすることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁膜形成する工程と、前記絶縁膜をエッチング加工して配線溝あるいは配線溝及び接続孔を形成する工程と、前記絶縁膜上に前記配線溝もしくは配線溝及び接続孔の中に埋め込むように金属膜を堆積させる工程と、前記金属膜を化学的機械的研磨法により研磨して前記絶縁膜上の前記金属膜を除去し、埋め込み金属配線を形成する工程とを具備し、前記金属膜の金属原子の最密面のロッキングカーブの半値幅を7以下に制御した金属膜を研磨することを特徴とする半導体装置の配線形成方法。
Fターム (38件)：
5F033HH04
, 5F033HH05
, 5F033HH06
, 5F033HH07
, 5F033HH09
, 5F033HH11
, 5F033HH13
, 5F033HH14
, 5F033HH17
, 5F033HH18
, 5F033HH19
, 5F033HH21
, 5F033HH28
, 5F033HH32
, 5F033HH33
, 5F033JJ04
, 5F033JJ05
, 5F033JJ06
, 5F033JJ07
, 5F033JJ09
, 5F033JJ11
, 5F033JJ13
, 5F033JJ14
, 5F033JJ17
, 5F033JJ18
, 5F033JJ19
, 5F033JJ21
, 5F033JJ28
, 5F033JJ32
, 5F033JJ33
, 5F033LL07
, 5F033MM01
, 5F033MM12
, 5F033NN06
, 5F033PP06
, 5F033QQ48
, 5F033RR04
, 5F033WW03
